
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥19.469312 | ¥19.47 |
| 10 | ¥17.510687 | ¥175.11 |
| 100 | ¥14.074031 | ¥1407.40 |
| 500 | ¥11.563368 | ¥5781.68 |
| 1000 | ¥11.012731 | ¥11012.73 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 180 A
漏源电阻 3.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 150 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 58 ns
正向跨导(Min) 170 S
上升时间 110 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 36 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 AUIRF1404Z SP001520218
单位重量 2 g
购物车
0AUIRF1404Z
型号:AUIRF1404Z
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥19.469312 |
| 10+: | ¥17.510687 |
| 100+: | ¥14.074031 |
| 500+: | ¥11.563368 |
| 1000+: | ¥11.012731 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥19.47