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起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.54888 | ¥5.55 |
10 | ¥4.863834 | ¥48.64 |
100 | ¥3.727341 | ¥372.73 |
500 | ¥2.94625 | ¥1473.13 |
1000 | ¥2.356973 | ¥2356.97 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 180 mA
漏源电阻 10 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 -
耗散功率 700 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 453.600 mg
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0ZVNL120A
型号:ZVNL120A
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.54888 |
10+: | ¥4.863834 |
100+: | ¥3.727341 |
500+: | ¥2.94625 |
1000+: | ¥2.356973 |
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