
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥4.537076 | ¥4.54 |
| 10 | ¥3.976943 | ¥39.77 |
| 100 | ¥3.047683 | ¥304.77 |
| 500 | ¥2.40902 | ¥1204.51 |
| 1000 | ¥1.927193 | ¥1927.19 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 180 mA
漏源电阻 10 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 -
耗散功率 700 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 453.600 mg
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0ZVNL120A
型号:ZVNL120A
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥4.537076 |
| 10+: | ¥3.976943 |
| 100+: | ¥3.047683 |
| 500+: | ¥2.40902 |
| 1000+: | ¥1.927193 |
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单价:¥0.00总价:¥4.54