
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥43.90575 | ¥43.91 |
| 10 | ¥36.424945 | ¥364.25 |
| 100 | ¥28.991565 | ¥2899.16 |
| 500 | ¥24.530618 | ¥12265.31 |
| 1000 | ¥20.813928 | ¥20813.93 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 61 A
漏源电阻 16 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 85 nC
耗散功率 118 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 132 ns
正向跨导(Min) 30 S
上升时间 195 ns
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 22 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 360 mg
购物车
0NVD5117PLT4G-VF01
型号:NVD5117PLT4G-VF01
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥43.90575 |
| 10+: | ¥36.424945 |
| 100+: | ¥28.991565 |
| 500+: | ¥24.530618 |
| 1000+: | ¥20.813928 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥43.91