货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥21.373466 | ¥21.37 |
10 | ¥19.181316 | ¥191.81 |
100 | ¥15.715663 | ¥1571.57 |
500 | ¥13.378283 | ¥6689.14 |
1000 | ¥11.28293 | ¥11282.93 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 8.5 A
漏源电阻 930 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 48 nC
耗散功率 167 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 15.49 mm
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB9N65APBF-BE3
单位重量 2 g
购物车
0IRFB9N65APBF
型号:IRFB9N65APBF
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥21.373466 |
10+: | ¥19.181316 |
100+: | ¥15.715663 |
500+: | ¥13.378283 |
1000+: | ¥11.28293 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥21.37