货期:国内(1~3工作日)
起订量:250
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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250 | ¥5.87283 | ¥1468.21 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 2.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 108 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导(Min) 118 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 4 ns
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 24 mg
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0CSD17575Q3T
型号:CSD17575Q3T
品牌:TI
供货:锐单
单价:
250+: | ¥5.87283 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00