
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥18.997808 | ¥19.00 |
| 10 | ¥16.961352 | ¥169.61 |
| 100 | ¥13.221928 | ¥1322.19 |
| 500 | ¥10.923056 | ¥5461.53 |
| 1000 | ¥8.623365 | ¥8623.36 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 14.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 19 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 5 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD30N03S2L-20 SP000254466
单位重量 330 mg
购物车
0IPD30N03S2L20ATMA1
型号:IPD30N03S2L20ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥18.997808 |
| 10+: | ¥16.961352 |
| 100+: | ¥13.221928 |
| 500+: | ¥10.923056 |
| 1000+: | ¥8.623365 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥19.00