货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥4.663303 | ¥4.66 |
10 | ¥3.551285 | ¥35.51 |
100 | ¥2.210885 | ¥221.09 |
500 | ¥1.512584 | ¥756.29 |
1000 | ¥1.163555 | ¥1163.55 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 170 mA
漏源电阻 6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 -
耗散功率 225 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 80 S
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 20 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
购物车
0BVSS123LT1G
型号:BVSS123LT1G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.663303 |
10+: | ¥3.551285 |
100+: | ¥2.210885 |
500+: | ¥1.512584 |
1000+: | ¥1.163555 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.66