货期:国内(1~3工作日)
起订量:10
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
10 | ¥0.206193 | ¥2.06 |
100 | ¥0.18106 | ¥18.11 |
300 | ¥0.168494 | ¥50.55 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 400 ms
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RE1C002UN
单位重量 2.400 mg
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0RE1C002UNTCL
型号:RE1C002UNTCL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
10+: | ¥0.206193 |
100+: | ¥0.18106 |
300+: | ¥0.168494 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00