
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.119269 | ¥6.12 |
| 10 | ¥2.677181 | ¥26.77 |
| 100 | ¥1.895444 | ¥189.54 |
| 500 | ¥1.686777 | ¥843.39 |
| 1000 | ¥1.429615 | ¥1429.62 |
| 2000 | ¥1.405597 | ¥2811.19 |
| 5000 | ¥1.263629 | ¥6318.14 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.3 A
漏源电阻 135 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.25 V
栅极电荷 5.5 nC
耗散功率 400 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 P-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
购物车
0NTR1P02LT3G
型号:NTR1P02LT3G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥6.119269 |
| 10+: | ¥2.677181 |
| 100+: | ¥1.895444 |
| 500+: | ¥1.686777 |
| 1000+: | ¥1.429615 |
| 2000+: | ¥1.405597 |
| 5000+: | ¥1.263629 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.12