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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.4 A
漏源电阻 33 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1.25 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 1.47 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 74 mg
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0NVMS5P02R2G
型号:NVMS5P02R2G
品牌:ON
供货:锐单
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货期:1-2天
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