
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.534968 | ¥1604.90 |
| 6000 | ¥0.511581 | ¥3069.49 |
| 15000 | ¥0.453115 | ¥6796.72 |
| 30000 | ¥0.447268 | ¥13418.04 |
| 75000 | ¥0.380032 | ¥28502.40 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 95 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 1.7 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 5 S
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 8 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 0.9 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 11 mg
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0SSM3K336R,LF
型号:SSM3K336R,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.534968 |
| 6000+: | ¥0.511581 |
| 15000+: | ¥0.453115 |
| 30000+: | ¥0.447268 |
| 75000+: | ¥0.380032 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00