货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥3.489001 | ¥3.49 |
10 | ¥2.41738 | ¥24.17 |
100 | ¥1.180031 | ¥118.00 |
500 | ¥0.983899 | ¥491.95 |
1000 | ¥0.683597 | ¥683.60 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 300 mA
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 400 pC
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 100 mS
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 2N7002K-GE3
单位重量 8 mg
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02N7002K-T1-GE3
型号:2N7002K-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥3.489001 |
10+: | ¥2.41738 |
100+: | ¥1.180031 |
500+: | ¥0.983899 |
1000+: | ¥0.683597 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥3.49