货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.065969 | ¥5.07 |
10 | ¥3.768587 | ¥37.69 |
25 | ¥3.400378 | ¥85.01 |
100 | ¥1.791624 | ¥179.16 |
250 | ¥1.773337 | ¥443.33 |
500 | ¥1.587749 | ¥793.87 |
1000 | ¥1.235603 | ¥1235.60 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 95 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 1.7 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 5 S
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 8 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 0.9 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 11 mg
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0SSM3K336R,LF
型号:SSM3K336R,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.065969 |
10+: | ¥3.768587 |
25+: | ¥3.400378 |
100+: | ¥1.791624 |
250+: | ¥1.773337 |
500+: | ¥1.587749 |
1000+: | ¥1.235603 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.07