货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥40.374365 | ¥40.37 |
10 | ¥33.861966 | ¥338.62 |
100 | ¥27.394568 | ¥2739.46 |
500 | ¥24.350616 | ¥12175.31 |
1000 | ¥20.850298 | ¥20850.30 |
2000 | ¥19.632816 | ¥39265.63 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 36 A
漏源电阻 32 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 29 S
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC320N20NS3 G SP000676410
单位重量 104.400 mg
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0BSC320N20NS3GATMA1
型号:BSC320N20NS3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥40.374365 |
10+: | ¥33.861966 |
100+: | ¥27.394568 |
500+: | ¥24.350616 |
1000+: | ¥20.850298 |
2000+: | ¥19.632816 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥40.37