
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.382077 | ¥1146.23 |
| 6000 | ¥0.35442 | ¥2126.52 |
| 9000 | ¥0.293935 | ¥2645.41 |
| 30000 | ¥0.288698 | ¥8660.94 |
| 75000 | ¥0.259317 | ¥19448.78 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 170 mA
漏源电阻 6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 -
耗散功率 225 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 80 mS
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 20 ns
高度 0.94 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0BSS123LT1G
型号:BSS123LT1G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.382077 |
| 6000+: | ¥0.35442 |
| 9000+: | ¥0.293935 |
| 30000+: | ¥0.288698 |
| 75000+: | ¥0.259317 |
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单价:¥0.00总价:¥0.00