货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥10.996858 | ¥11.00 |
10 | ¥9.68712 | ¥96.87 |
100 | ¥7.427204 | ¥742.72 |
500 | ¥5.871581 | ¥2935.79 |
1000 | ¥4.697264 | ¥4697.26 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 37 A
漏源电阻 17 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 30 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7.1 ns
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 0.85 mm
长度 3.1 mm
宽度 3.1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
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0TPN11006NL,LQ
型号:TPN11006NL,LQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.996858 |
10+: | ¥9.68712 |
100+: | ¥7.427204 |
500+: | ¥5.871581 |
1000+: | ¥4.697264 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.00