货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.573183 | ¥1719.55 |
6000 | ¥0.515836 | ¥3095.02 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 390 mA
漏源电阻 700 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 500 pC
耗散功率 250 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.2 ns
正向跨导(Min) 0.35 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 5.1 ns
典型接通延迟时间 3.8 ns
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS223PW H6327 SP000843010
单位重量 6 mg
购物车
0BSS223PWH6327XTSA1
型号:BSS223PWH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.573183 |
6000+: | ¥0.515836 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00