货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.742743 | ¥2228.23 |
6000 | ¥0.726166 | ¥4357.00 |
9000 | ¥0.643211 | ¥5788.90 |
30000 | ¥0.634851 | ¥19045.53 |
75000 | ¥0.539463 | ¥40459.72 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.3 A
漏源电阻 220 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.25 V
栅极电荷 3.1 nC
耗散功率 400 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0NVTR01P02LT1G
型号:NVTR01P02LT1G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.742743 |
6000+: | ¥0.726166 |
9000+: | ¥0.643211 |
30000+: | ¥0.634851 |
75000+: | ¥0.539463 |
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单价:¥0.00总价:¥0.00