
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.607309 | ¥1821.93 |
| 6000 | ¥0.593755 | ¥3562.53 |
| 9000 | ¥0.525926 | ¥4733.33 |
| 30000 | ¥0.51909 | ¥15572.70 |
| 75000 | ¥0.441095 | ¥33082.13 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.3 A
漏源电阻 220 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.25 V
栅极电荷 3.1 nC
耗散功率 400 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0NVTR01P02LT1G
型号:NVTR01P02LT1G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.607309 |
| 6000+: | ¥0.593755 |
| 9000+: | ¥0.525926 |
| 30000+: | ¥0.51909 |
| 75000+: | ¥0.441095 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00