
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥23.48782 | ¥23.49 |
| 10 | ¥14.88067 | ¥148.81 |
| 100 | ¥9.917922 | ¥991.79 |
| 500 | ¥7.788561 | ¥3894.28 |
| 1000 | ¥7.103323 | ¥7103.32 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 37 A
漏源电阻 17 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 30 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7.1 ns
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 0.85 mm
长度 3.1 mm
宽度 3.1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
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0TPN11006NL,LQ
型号:TPN11006NL,LQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥23.48782 |
| 10+: | ¥14.88067 |
| 100+: | ¥9.917922 |
| 500+: | ¥7.788561 |
| 1000+: | ¥7.103323 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥23.49