
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥43.206669 | ¥43.21 |
| 10 | ¥39.043862 | ¥390.44 |
| 100 | ¥32.326073 | ¥3232.61 |
| 500 | ¥30.268055 | ¥15134.03 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 24 A
漏源电阻 84 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 45 nC
耗散功率 128 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPP65R095C7 SP001080122
单位重量 2 g
购物车
0IPP65R095C7XKSA1
型号:IPP65R095C7XKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥43.206669 |
| 10+: | ¥39.043862 |
| 100+: | ¥32.326073 |
| 500+: | ¥30.268055 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥43.21