货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.619866 | ¥1859.60 |
6000 | ¥0.55791 | ¥3347.46 |
15000 | ¥0.495879 | ¥7438.19 |
30000 | ¥0.4649 | ¥13947.00 |
75000 | ¥0.412222 | ¥30916.65 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 700 mA
漏源电阻 350 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 650 mV
栅极电荷 1.2 nC
耗散功率 330 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 41 ns
正向跨导(Min) 0.5 S
上升时间 8.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0NVS4409NT1G
型号:NVS4409NT1G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.619866 |
6000+: | ¥0.55791 |
15000+: | ¥0.495879 |
30000+: | ¥0.4649 |
75000+: | ¥0.412222 |
货期:1-2天
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