
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.506838 | ¥1520.51 |
| 6000 | ¥0.456179 | ¥2737.07 |
| 15000 | ¥0.405458 | ¥6081.87 |
| 30000 | ¥0.380129 | ¥11403.87 |
| 75000 | ¥0.337055 | ¥25279.13 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 700 mA
漏源电阻 350 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 650 mV
栅极电荷 1.2 nC
耗散功率 330 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 41 ns
正向跨导(Min) 0.5 S
上升时间 8.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
购物车
0NVS4409NT1G
型号:NVS4409NT1G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.506838 |
| 6000+: | ¥0.456179 |
| 15000+: | ¥0.405458 |
| 30000+: | ¥0.380129 |
| 75000+: | ¥0.337055 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00