货期:(7~10天)
起订量:32
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
32 | ¥5.236909 | ¥167.58 |
50 | ¥3.840304 | ¥192.02 |
100 | ¥3.491225 | ¥349.12 |
1000 | ¥3.491225 | ¥3491.22 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 280 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 55 ns
正向跨导(Min) 7.3 S
上升时间 120 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 330 mg
购物车
0FQD12N20TM
型号:FQD12N20TM
品牌:ON
供货:锐单
单价:
32+: | ¥5.236909 |
50+: | ¥3.840304 |
100+: | ¥3.491225 |
1000+: | ¥3.491225 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00