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制造商 Toshiba
商标 Toshiba
晶体管极性 PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) - 50 V
集电极—基极电压 - 50 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 100 mV
最大直流电集电极电流 - 150 mA
耗散功率 300 mW
增益带宽产品 80 MHz
直流集电极 120
直流电流增益(Max) 400
技术 Si
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 15 mg
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0HN1A01F-GR(TE85L,F
型号:HN1A01F-GR(TE85L,F
品牌:Toshiba
供货:锐单
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