货期:国内(1~3工作日)
起订量:2000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2000 | ¥2.463962 | ¥4927.92 |
6000 | ¥2.334234 | ¥14005.40 |
10000 | ¥2.161312 | ¥21613.12 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 56 A
漏源电阻 9.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.35 V
栅极电荷 9.6 nC
耗散功率 50 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.3 ns
正向跨导(Min) 71 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRFR3707ZTRPBF SP001564908
单位重量 330 mg
购物车
0IRFR3707ZTRPBF
型号:IRFR3707ZTRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
2000+: | ¥2.463962 |
6000+: | ¥2.334234 |
10000+: | ¥2.161312 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00