
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥23.06248 | ¥23.06 |
| 10 | ¥20.715973 | ¥207.16 |
| 100 | ¥16.97364 | ¥1697.36 |
| 500 | ¥14.44942 | ¥7224.71 |
| 1000 | ¥12.186249 | ¥12186.25 |
制造商 onsemi
商标名 UniFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 22 A
漏源电阻 220 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 65 nC
耗散功率 312.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
上升时间 50 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 48 ns
典型接通延迟时间 22 ns
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0FDP22N50N
型号:FDP22N50N
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥23.06248 |
| 10+: | ¥20.715973 |
| 100+: | ¥16.97364 |
| 500+: | ¥14.44942 |
| 1000+: | ¥12.186249 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥23.06