货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥28.205601 | ¥28.21 |
10 | ¥25.335805 | ¥253.36 |
100 | ¥20.758901 | ¥2075.89 |
500 | ¥17.671759 | ¥8835.88 |
1000 | ¥14.903882 | ¥14903.88 |
制造商 onsemi
商标名 UniFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 22 A
漏源电阻 220 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 65 nC
耗散功率 312.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
上升时间 50 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 48 ns
典型接通延迟时间 22 ns
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0FDP22N50N
型号:FDP22N50N
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥28.205601 |
10+: | ¥25.335805 |
100+: | ¥20.758901 |
500+: | ¥17.671759 |
1000+: | ¥14.903882 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥28.21