
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.758305 | ¥5.76 |
| 10 | ¥3.57621 | ¥35.76 |
| 100 | ¥2.247254 | ¥224.73 |
| 500 | ¥1.670515 | ¥835.26 |
| 1000 | ¥1.484279 | ¥1484.28 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 700 mA
漏源电阻 350 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 650 mV
栅极电荷 1.2 nC
耗散功率 330 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 41 ns
正向跨导(Min) 0.5 S
上升时间 8.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0NVS4409NT1G
型号:NVS4409NT1G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.758305 |
| 10+: | ¥3.57621 |
| 100+: | ¥2.247254 |
| 500+: | ¥1.670515 |
| 1000+: | ¥1.484279 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.76