货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.409298 | ¥1227.89 |
6000 | ¥0.355911 | ¥2135.47 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 2.2 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 -
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 55 ns
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel MOSFET
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RUC002N05
单位重量 8 mg
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0RUC002N05T116
型号:RUC002N05T116
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.409298 |
6000+: | ¥0.355911 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00