货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.684404 | ¥2053.21 |
6000 | ¥0.669116 | ¥4014.70 |
9000 | ¥0.592679 | ¥5334.11 |
30000 | ¥0.585035 | ¥17551.05 |
75000 | ¥0.49706 | ¥37279.50 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 320 mA
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 450 pC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16.3 ns
上升时间 3.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26.4 ns
典型接通延迟时间 3.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 80 mg
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0DMN62D0LFB-7
型号:DMN62D0LFB-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.684404 |
6000+: | ¥0.669116 |
9000+: | ¥0.592679 |
30000+: | ¥0.585035 |
75000+: | ¥0.49706 |
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