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DMN62D0LFB-7

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN62D0LFB-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3
渠道:
自营
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库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:5

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
5 0.53409 2.67
50 0.435308 21.77
150 0.385916 57.89
500 0.348872 174.44

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 320 mA

漏源电阻 2 Ohms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 600 mV

栅极电荷 450 pC

耗散功率 500 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 16.3 ns

上升时间 3.4 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 26.4 ns

典型接通延迟时间 3.4 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 80 mg

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DMN62D0LFB-7

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型号:DMN62D0LFB-7

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

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5+: ¥0.53409
50+: ¥0.435308
150+: ¥0.385916
500+: ¥0.348872

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