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起订量:5
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
5 | ¥0.53409 | ¥2.67 |
50 | ¥0.435308 | ¥21.77 |
150 | ¥0.385916 | ¥57.89 |
500 | ¥0.348872 | ¥174.44 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 320 mA
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 450 pC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16.3 ns
上升时间 3.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26.4 ns
典型接通延迟时间 3.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 80 mg
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0DMN62D0LFB-7
型号:DMN62D0LFB-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
5+: | ¥0.53409 |
50+: | ¥0.435308 |
150+: | ¥0.385916 |
500+: | ¥0.348872 |
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