
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.800212 | ¥6.80 |
| 10 | ¥5.114327 | ¥51.14 |
| 100 | ¥2.894342 | ¥289.43 |
| 500 | ¥1.91681 | ¥958.40 |
| 1000 | ¥1.469554 | ¥1469.55 |
| 2000 | ¥1.277873 | ¥2555.75 |
| 5000 | ¥1.150085 | ¥5750.43 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 800 mA
漏源电阻 186 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 1 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 8.5 ns
典型接通延迟时间 5.5 ns
高度 0.38 mm
长度 1 mm
宽度 0.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 0.750 mg
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0SSM3K56CT,L3F
型号:SSM3K56CT,L3F
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥6.800212 |
| 10+: | ¥5.114327 |
| 100+: | ¥2.894342 |
| 500+: | ¥1.91681 |
| 1000+: | ¥1.469554 |
| 2000+: | ¥1.277873 |
| 5000+: | ¥1.150085 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.80