货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥20.47903 | ¥20.48 |
10 | ¥18.383776 | ¥183.84 |
100 | ¥14.780413 | ¥1478.04 |
500 | ¥12.143237 | ¥6071.62 |
1000 | ¥10.061478 | ¥10061.48 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 38 A
漏源电阻 13.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 9.6 nC
耗散功率 27 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 40 ns
正向跨导(Min) 30 S
上升时间 43 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
购物车
0NVD5C684NLT4G
型号:NVD5C684NLT4G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥20.47903 |
10+: | ¥18.383776 |
100+: | ¥14.780413 |
500+: | ¥12.143237 |
1000+: | ¥10.061478 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥20.48