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制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIX-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 45 V
漏极电流 232 A
漏源电阻 1.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 74 nC
耗散功率 132 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 27 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
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0TPH1R405PL,L1Q
型号:TPH1R405PL,L1Q
品牌:Toshiba
供货:锐单
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