货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥1.235603 | ¥1.24 |
10 | ¥0.926701 | ¥9.27 |
25 | ¥0.869864 | ¥21.75 |
100 | ¥0.788315 | ¥78.83 |
250 | ¥0.738396 | ¥184.60 |
500 | ¥0.702316 | ¥351.16 |
1000 | ¥0.666484 | ¥666.48 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极—基极电压 60 V
发射极 - 基极电压 5 V
饱和电压 0.1 V
最大直流电集电极电流 150 mA
耗散功率 100 mW
增益带宽产品 60 MHz
集电极连续电流 150 mA
直流集电极 120
直流电流增益(Max) 400
技术 Si
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 3 mg
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0HN2C01FEYTE85LF
型号:HN2C01FEYTE85LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥1.235603 |
10+: | ¥0.926701 |
25+: | ¥0.869864 |
100+: | ¥0.788315 |
250+: | ¥0.738396 |
500+: | ¥0.702316 |
1000+: | ¥0.666484 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥1.24