
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.243437 | ¥6.24 |
| 10 | ¥5.347639 | ¥53.48 |
| 100 | ¥3.990371 | ¥399.04 |
| 500 | ¥3.135291 | ¥1567.65 |
| 1000 | ¥2.422725 | ¥2422.72 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 300 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 6 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 50 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 150 ns
典型接通延迟时间 30 ns
高度 0.9 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 11 mg
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0SSM3K2615R,LF
型号:SSM3K2615R,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥6.243437 |
| 10+: | ¥5.347639 |
| 100+: | ¥3.990371 |
| 500+: | ¥3.135291 |
| 1000+: | ¥2.422725 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.24