BSS123-7-F
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- 制造商编号：
- BSS123-7-F
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：242501
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.48529 | ￥3.49 |
| 10 | ￥2.106328 | ￥21.06 |
| 100 | ￥1.301681 | ￥130.17 |
| 500 | ￥0.952849 | ￥476.42 |
| 1000 | ￥0.839652 | ￥839.65 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 170 mA
漏源电阻 6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 -
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导（Min） 0.08 S
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 8 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode Field Effect Transistor
单位重量 8 mg
BSS123-7-F 同类别型号
注
BSS123-7-F品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、BSS123-7-F
数据手册PDF
。
BSS123-7-F
型号：BSS123-7-F
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：242501 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥3.48529 |
| 10+： | ￥2.106328 |
| 100+： | ￥1.301681 |
| 500+： | ￥0.952849 |
| 1000+： | ￥0.839652 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.49