货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥3.364394 | ¥3.36 |
10 | ¥2.267851 | ¥22.68 |
100 | ¥1.10776 | ¥110.78 |
500 | ¥0.923839 | ¥461.92 |
1000 | ¥0.641852 | ¥641.85 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 170 mA
漏源电阻 6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 -
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 0.08 S
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode Field Effect Transistor
单位重量 8 mg
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0BSS123-7-F
型号:BSS123-7-F
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥3.364394 |
10+: | ¥2.267851 |
100+: | ¥1.10776 |
500+: | ¥0.923839 |
1000+: | ¥0.641852 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥3.36