货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥10.996861 | ¥11.00 |
10 | ¥9.810683 | ¥98.11 |
25 | ¥9.306557 | ¥232.66 |
100 | ¥6.979918 | ¥697.99 |
250 | ¥6.913442 | ¥1728.36 |
500 | ¥5.916312 | ¥2958.16 |
1000 | ¥4.819468 | ¥4819.47 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 13.5 A
漏源电阻 5.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 33 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
正向跨导(Min) 9.5 S
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 69 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RS3E135BN
单位重量 83 mg
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0RS3E135BNGZETB
型号:RS3E135BNGZETB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.996861 |
10+: | ¥9.810683 |
25+: | ¥9.306557 |
100+: | ¥6.979918 |
250+: | ¥6.913442 |
500+: | ¥5.916312 |
1000+: | ¥4.819468 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.00