
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.143476 | ¥6.14 |
| 10 | ¥4.357583 | ¥43.58 |
| 100 | ¥2.197365 | ¥219.74 |
| 500 | ¥1.947054 | ¥973.53 |
| 1000 | ¥1.515152 | ¥1515.15 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 320 mA
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 450 pC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16.3 ns
上升时间 3.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26.4 ns
典型接通延迟时间 3.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 80 mg
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0DMN62D0LFB-7
型号:DMN62D0LFB-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥6.143476 |
| 10+: | ¥4.357583 |
| 100+: | ¥2.197365 |
| 500+: | ¥1.947054 |
| 1000+: | ¥1.515152 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.14