货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1+ : 需询价 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 13.5 A
漏源电阻 5.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 33 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
正向跨导(Min) 9.5 S
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 69 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RS3E135BN
单位重量 83 mg
购物车
0RS3E135BNGZETB
型号:RS3E135BNGZETB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00