货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥39.126656 | ¥39.13 |
10 | ¥32.858915 | ¥328.59 |
100 | ¥26.581206 | ¥2658.12 |
500 | ¥23.628264 | ¥11814.13 |
1000 | ¥20.231598 | ¥20231.60 |
2000 | ¥19.050322 | ¥38100.64 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 3.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 74 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
正向跨导(Min) 60 S
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 47 ns
典型接通延迟时间 18 ns
开发套件 EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7, EVAL_800W_ZVS_FB_CFD7
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC026N08NS5 SP001154276
单位重量 104.400 mg
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0BSC026N08NS5ATMA1
型号:BSC026N08NS5ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥39.126656 |
10+: | ¥32.858915 |
100+: | ¥26.581206 |
500+: | ¥23.628264 |
1000+: | ¥20.231598 |
2000+: | ¥19.050322 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥39.13