
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥7.50824 | ¥7.51 |
| 10 | ¥6.407894 | ¥64.08 |
| 100 | ¥4.784561 | ¥478.46 |
| 500 | ¥3.759298 | ¥1879.65 |
| 1000 | ¥2.904912 | ¥2904.91 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 190 mA
漏源电阻 4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 1.7 nC
耗散功率 250 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
高度 0.8 mm
长度 1.575 mm
宽度 0.76 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1021R-GE3
单位重量 2 mg
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0SI1021R-T1-GE3
型号:SI1021R-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥7.50824 |
| 10+: | ¥6.407894 |
| 100+: | ¥4.784561 |
| 500+: | ¥3.759298 |
| 1000+: | ¥2.904912 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.51