货期: 8周-10周
起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1000 | ¥44.363056 | ¥44363.06 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 32 A
漏源电阻 82 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 88 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 32 ns
上升时间 61 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 78 ns
典型接通延迟时间 29 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIHP35N60E-BE3
单位重量 2 g
购物车
0SIHP35N60E-GE3
型号:SIHP35N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥44.363056 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00