货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.499023 | ¥5.50 |
10 | ¥3.824321 | ¥38.24 |
100 | ¥1.933406 | ¥193.34 |
500 | ¥1.57697 | ¥788.49 |
1000 | ¥1.170042 | ¥1170.04 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 540 mA
漏源电阻 346 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 1.7 nC
耗散功率 360 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
正向跨导(Min) 600 mS
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 9 ns
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS670S2L H6327 SP000928950
单位重量 8 mg
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0BSS670S2LH6327XTSA1
型号:BSS670S2LH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.499023 |
10+: | ¥3.824321 |
100+: | ¥1.933406 |
500+: | ¥1.57697 |
1000+: | ¥1.170042 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.50