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SI1021R-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI1021R-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A
渠道:
digikey

库存 :52326

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 6.548405 6.55
10 5.588724 55.89
100 4.172915 417.29
500 3.278718 1639.36
1000 2.533555 2533.55

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 190 mA

漏源电阻 4 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 1.7 nC

耗散功率 250 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

外形参数

高度 0.8 mm

长度 1.575 mm

宽度 0.76 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI1021R-GE3

单位重量 2 mg

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SI1021R-T1-GE3

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型号:SI1021R-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:52326 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥6.548405
10+: ¥5.588724
100+: ¥4.172915
500+: ¥3.278718
1000+: ¥2.533555

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