SISS23DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SISS23DN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
- 渠道：
- 国内现货自营digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.987208 | ￥5961.62 |
| 6000 | ￥1.882658 | ￥11295.95 |
| 9000 | ￥1.743194 | ￥15688.75 |
| 30000 | ￥1.725959 | ￥51778.77 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 3.5 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 300 nC
耗散功率 57 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 50 ns
正向跨导（Min） 44 S
上升时间 50 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 140 ns
典型接通延迟时间 45 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
SISS23DN-T1-GE3 同类别型号
注
SISS23DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SISS23DN-T1-GE3、查询SISS23DN-T1-GE3代理商；
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替代型号
、SISS23DN-T1-GE3
数据手册PDF。
SISS23DN-T1-GE3
型号：SISS23DN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.987208 |
| 6000+： | ￥1.882658 |
| 9000+： | ￥1.743194 |
| 30000+： | ￥1.725959 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00