
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.784496 | ¥5.78 |
| 10 | ¥5.082857 | ¥50.83 |
| 100 | ¥3.895965 | ¥389.60 |
| 500 | ¥3.079923 | ¥1539.96 |
| 1000 | ¥2.463927 | ¥2463.93 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 11 A
漏源电阻 265 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 13.3 nC
耗散功率 39 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 6.22 mm
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRLU120NPBF SP001567330
单位重量 340 mg
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0IRLU120NPBF
型号:IRLU120NPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.784496 |
| 10+: | ¥5.082857 |
| 100+: | ¥3.895965 |
| 500+: | ¥3.079923 |
| 1000+: | ¥2.463927 |
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单价:¥0.00总价:¥5.78