货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥4.859681 | ¥4.86 |
10 | ¥3.439159 | ¥34.39 |
100 | ¥1.73578 | ¥173.58 |
500 | ¥1.416286 | ¥708.14 |
1000 | ¥1.050689 | ¥1050.69 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 540 mA
漏源电阻 346 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 1.7 nC
耗散功率 360 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
正向跨导(Min) 600 mS
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 9 ns
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS670S2L H6327 SP000928950
单位重量 8 mg
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0BSS670S2LH6327XTSA1
型号:BSS670S2LH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.859681 |
10+: | ¥3.439159 |
100+: | ¥1.73578 |
500+: | ¥1.416286 |
1000+: | ¥1.050689 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.86