
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.965875 | ¥2897.63 |
| 6000 | ¥0.916777 | ¥5500.66 |
| 9000 | ¥0.851293 | ¥7661.64 |
| 30000 | ¥0.831665 | ¥24949.95 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.7 A
漏源电阻 190 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 4 nC
耗散功率 2.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 2 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2303CDS-T1-BE3 SI2303CDS-E3
单位重量 8 mg
购物车
0SI2303CDS-T1-E3
型号:SI2303CDS-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.965875 |
| 6000+: | ¥0.916777 |
| 9000+: | ¥0.851293 |
| 30000+: | ¥0.831665 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00