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DMT6009LK3-13

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMT6009LK3-13
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
渠道:
digikey

库存 :1428

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 9.472951 9.47
10 8.463876 84.64
25 8.035534 200.89
100 6.02768 602.77
250 5.970431 1492.61
500 5.109216 2554.61
1000 4.16192 4161.92

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 13.3 A

漏源电阻 10 mOhms

栅极电压 - 16 V, + 16 V

栅源极阈值电压 700 mV

栅极电荷 33.5 nC

耗散功率 50 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 340 mg

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DMT6009LK3-13

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型号:DMT6009LK3-13

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:1428 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥9.472951
10+: ¥8.463876
25+: ¥8.035534
100+: ¥6.02768
250+: ¥5.970431
500+: ¥5.109216
1000+: ¥4.16192

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