PDTC115ES,126
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
PDTC115ES,126
制造商
NXP(恩智浦)
商品描述
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
包装
Tape & Box (TB)
系列
-
零件状态
Obsolete
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
20mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50V
电阻器 - 基底（R1）
100 kOhms
电阻器 - 发射极基底（R2）
100 kOhms
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
80 @ 5mA, 5V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
150mV @ 250µA, 5mA
电流 - 集电极截止（最大值）
1µA
频率 - 跃迁
-
功率 - 最大值
500mW
安装类型
Through Hole
封装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供应商器件封装
TO-92-3
PDTC115ES,126 同类别型号
注
PDTC115ES,126品牌厂家：NXP
，所属分类： 双极晶体管
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数据手册PDF
。
PDTC115ES,126
型号：PDTC115ES,126
品牌：NXP
供货：锐单
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