
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥1.34578 | ¥4037.34 |
| 6000 | ¥1.215517 | ¥7293.10 |
| 15000 | ¥1.128695 | ¥16930.42 |
| 30000 | ¥1.102676 | ¥33080.28 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 13.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 24.5 nC
耗散功率 27.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 25 S
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIS780DN-GE3
单位重量 1 g
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0SIS780DN-T1-GE3
型号:SIS780DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥1.34578 |
| 6000+: | ¥1.215517 |
| 15000+: | ¥1.128695 |
| 30000+: | ¥1.102676 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00